在半导体芯片、集成芯片的生产过程中，所有的电路器件都是要通过光刻工艺将电路布局结构印制在硅晶圆上的。光刻工艺完成的质量非常依赖硅晶圆的表面特性，硅晶圆表面的高低起伏、杂质污染都会造成光刻工艺的缺陷，甚至造成产品报废，为了保证产品质量，化学机械抛光CMP成为了目前主流的抛光方法。而抛光液是完成CMP的主要力量
目前铬离子抛光、铜离子抛光和二氧化硅胶体抛光这三种抛光方法都能投入使用，但最终获得行业 地位的，只有二氧化硅胶体抛光，具体原因如下：
1、二氧化硅的硬度与硅的硬度相近
2、粒度细大约为90-110纳米
因而抛光表面的损耗层极微小，能满足大规模及超大规模集成电路的要求，因此，它已基本取代了另外的两种化学机械抛光方法。
凭借这些优势，二氧化硅胶体抛光不仅能对单晶硅片进行抛光，还能对层间介质、绝缘体、导体、镶嵌金属、多晶硅、硅氧化物沟道等材料进行平面化处理。在薄膜存贮磁盘、微电子机械系统陶瓷、磁头、机械模具、精密阀门、光学玻璃、金属材料等表面加工领域，也多有应用。目前，二氧化硅胶体抛光已成为应用最为广泛的全局平面化技术，前景可谓一片大好。
