华北某大学实验室采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 辅助磁控溅射沉积的方法在钕铁硼磁体表面制备了耐腐蚀性良好的铝锰合金薄膜.
伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 技术参数:
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型号 |
RFICP140 |
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Discharge |
RFICP 射频 |
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离子束流 |
>600 mA |
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离子动能 |
100-1200 V |
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栅极直径 |
14 cm Φ |
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离子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
5-30 sccm |
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通气 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型压力 |
< 0.5m Torr |
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长度 |
24.6 cm |
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直径 |
24.6 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
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磁控溅射是物理气相沉积技术中一种手段比较丰富的方法, 可以通过控制调节镀膜参数, 得到更加致密, 均匀, 结合力出色的膜层, 而且磁控溅射属于干法镀膜, 不存在电镀化学镀中的镀液腐蚀基体和废液污染问题, 从环境保护的角度来看, 磁控溅射较电镀化学镀更加绿色环保.
在钕铁硼(NdFeB)磁体表面利用磁控溅射沉积不同锰含量的铝锰合金薄膜. 磁控溅射制备的铝锰合金薄膜表面光滑致密. 薄膜结构受到锰含量的影响, 当薄膜锰含量从6.80at%上升到25.78at%时, 薄膜结构由晶态逐渐转变为非晶态, 达到 35.67%时, 薄膜中析出金属间化合物Al8Mn5. 铝锰合金薄膜的耐腐蚀性能受薄膜成分变化的影响很大, 当薄膜中锰含量达到25.78% 时, 此时薄膜呈非晶态结构, 薄膜的自腐蚀电流密度达到 1.198×10-7A/cm2, 比钕铁硼基体降低了 2 个数量级,耐腐蚀性能最好.
KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.
KRI 离子源是领域公认的领导者, 已获得许多专利. KRI 离子源已应用于许多已成为行业标准的过程中.
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