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单P沟道低压MOS场效应管
  • 单P沟道低压MOS场效应管
  • 单P沟道低压MOS场效应管型号沟道VDS(Max)VGSVTH(Typ)ID(Max)IDMRDS(on)(Max)封装状态直接替代型号HM2301/AP沟道-20V-10V-0.65V-3A-10A65mΩSOT23SOT23-3L量产Si2301/AP2301/SI2305/XP152A/IRLML6401/IRML6402/AO3423HM2301BP沟道-20V-12V-0.7V-2.8A-10A83mΩSOT23量产Si2301/AP2301/XP152A/IRLML64
  • 2017-09-14 10:22  [广东深圳市]
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高压MOS场效应管
  • 高压MOS场效应管
  • 高压MOS场效应管 型号沟道VDS(Max)VGSVTH(Typ)ID(Max)IDM(MAX)RDS(on)(Max)封装状态直接替代型号HM1N60N沟道600V30V3V1.3A5A8.5ΩTO-92/SOT-89TO-251/TO-252量产FQP1N60/FQN1N60/UTC1N60/STP1N60HM2N60N沟道600V30V3V2A6A4.5ΩTO-251/TO-252/TO-220/TO-220F量产FQP2N60/FQN2N60/UTC2N60/STP2N60
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P沟道中压大电流MOS
  • P沟道中压大电流MOS
  • P沟道中压大电流MOS型号沟道VDS(Max)VGSVTH(Typ)ID(Max)IDMRDS(on)(Max)封装直接替代型号HM30P02KP沟道-20V-10V-0.8V-30A-90A25mΩTO-252AOD421HM85P02/KP沟道-20V-12V-0.6V-85A-250A5.8mΩTO-220/TO-252HM25P03KP沟道-30V-20V-1.5V-25A-75A15mΩTO-252AOD4185/AOD4189/AOD413ASUD25P03
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二合一锂电保护IC
  • 二合一锂电保护IC
  • 小过放电流/二合一锂电保护IC型号耐压工作电流过充电压过充释放电压过放电压过放释放电压过放自恢复过流保护短路保护封装替代型号HM5453A6.0V2.8uA4.3V4.1V2.4V3.0VOKOK/3AOKSOT-25HM5431A6.0V2.8uA4.3V4.1V2.4V3.0VOKOK/3AOKSOT-25cost down版本HM5433A6.0V2.8uA4.3V4.1V2.4V3.0VOKOK/3AOKSOT-23cost down版本HM5453D6.0V2
  • 2017-09-14 10:22  [广东深圳市]
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3合1移动电源IC
  • 3合1移动电源IC
  • 异步3合1移动电源IC型号功能包含的模块工作模式最低放电电压放电过流保护充电电流升压效率待机功耗0V电池充电保护功能封装HM16050.6A线性充电1A异步升压放电移动电源管理IC线性锂电充电模块升压电源模块充放电指示模块保护模块充电放电待机2.8V0.6A0.6A90%60uA过流(OCP)保护短路(SCP)保护SOT-26HM5901A1A线性充电1A异步升压
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耐高压 LDO IC
  • 耐高压 LDO IC
  • 耐高压 LDO IC型号最大输出电流输入电压输出电压精度功耗纹波(1KHZ)负载稳定率线性稳定率封装替代型号HM75XX150mA18V2.8/3.0/3.3/3.6/4.0/4.4/5.0V3%2uA50dB60mV0.2%SOT-89/SOT-23TO-92HT75XX/HT71XXHT10XXHM75XXH150mA30V3.0/3.3/3.6/4.0/4.4/5.0V2%2uA50dB60mV0.2%SOT-89/SOT-23-3LHT75XX/HT71XXHT10XXHM75XXHB100mA4
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  • 2016-11-11 15:36  [福建福州市]
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